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        NLD-3000原子層沉積系統

        簡要描述:NLD-3000原子層沉積系統:ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

        產品型號:

        所屬分類:ALD原子層沉積系統

        更新時間:2023-02-17

        廠商性質:生產廠家

        詳情介紹
          原子層沉積技術
         
          NLD-3000原子層沉積系統概述:原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術,具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性,可以提供的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。
         
          NLD-3000原子層沉積系統特點:NLD-3000是一款獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統,帶Labview軟件,具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統為全自動的安全互鎖設計,并提供了強大的靈活性,可以用于沉積多種薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。NLD-3000系統提供12"的鋁質反應腔體,帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋,非常方便腔體的訪問和清潔。該系統擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸,用于前驅體以及反應物,同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
         
          選配:NLD-3000系統的選配項包含自動L/UL上下載(用于6"基片),ICP離子源(用于等離子增強的PEALD),臭氧發生器,等等。
         
          應用:
         
          Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
         
          Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
         
          Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
         
          Nano laminates納米復合材料
         


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