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        等離子刻蝕ICP

        簡要描述:等離子刻蝕ICP基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸,從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而隔絕外部濕氣,防止反應室內可能發生的腐蝕。

        產品型號: Minilock-Phantom III ICP

        所屬分類:等離子刻蝕ICP

        更新時間:2023-02-17

        廠商性質:生產廠家

        詳情介紹

        系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料??蛇x配靜電吸盤(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。
        該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
        基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸,從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而隔絕外部濕氣,防止反應室內可能發生的腐蝕。



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