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        PECVD沉積

        簡要描述:PECVD沉積可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創建高密度等離子,從而控制薄膜應力。

        產品型號: Minilock-Orion III PECVD

        所屬分類:PECVD沉積

        更新時間:2023-02-17

        廠商性質:生產廠家

        詳情介紹

         

        PECVD沉積

        Minilock-Orion III是一套zui xian jin的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統。 系統的下電極尺寸可為200mm或300mm,且根據電極配置,可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸),或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
        Minilock-Orion III用于有毒/發火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、*基硅烷和甲烷。
        該系統可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創建高密度等離子,從而控制薄膜應力。
        基片通過預真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸,從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應室與大氣隔絕。

         

         



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