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        • NRE-4000(ICPA)全自動ICP刻蝕系統
          NRE-4000(ICPA)全自動ICP刻蝕系統

          NRE-4000(ICPA)全自動ICP刻蝕系統:自動上下載片,帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統,系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

          更新時間:2017-03-03型號:瀏覽量:850
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          NDR-4000(M)DRIE深反應離子刻蝕:是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統,帶8“ ICP源。系統配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下,系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

          更新時間:2017-03-03型號:瀏覽量:1122
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        • NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統
          NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統

          NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕系統:是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統,系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

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